100年前的1925年10月22日，奧匈帝國（自1919年起為波蘭）的物理學家尤利烏斯·埃德加·利連費爾德（1905-1926年在德國任教授）獲得了晶體管的專利[LIL1]。一種場效應晶體管（FET）。今天，我們電腦中的幾乎所有晶體管都是FET。 詳細信息和眾多參考資料：技術備忘錄IDSIA-10-25，IDSIA，2025年10月22日（在網上很容易找到）。

在1928年，Lilienfeld也為金屬氧化物半導體FET（MOSFET）獲得專利[LIL2]。Lilienfeld的設計如所描述的那樣運作，並提供了可觀的增益[ARN98]。 在1934年，德國工程師Oskar Heil獲得了另一種FET變體的專利[HEIL]。在Lilienfeld之後的二十年，貝爾實驗室的研究人員不僅實驗性地確認了Lilienfeld專利中描述的場效應[ARN98]——見下文Lilienfeld與貝爾實驗室的優先權爭議——而且還獲得了一種點接觸晶體管（PCT，專利於1948年2月26日由William Shockley、John Bardeen和Walter Brattain提交）[BRA48]。幾個月後，德國物理學家Herbert F. Mataré和Heinrich Welker在法國的Compagnie des Freins et Signaux Westinghouse獲得了晶體管（結接場效應晶體管或JFET）的專利（專利於1948年8月13日提交）[MAT48]。 PCT和晶體管是第一批商業晶體管。然而，1948年的PCT被認為是「從未真正實用」[ARN98]，並且「僅僅是一個繞道」[ARN98]。這是一條死胡同，今天幾乎所有的晶體管都是Lilienfeld類型的FET，特別是某些由埃及工程師Mohamed M. Atalla和韓國工程師Dawon Kahng於1960年在貝爾實驗室獲得專利的MOSFET[LIL2]變體。 優先權爭議：Lilienfeld（1925-28）與貝爾實驗室（1948） 根據美國物理學家Robert G. Arns檢查的法律文件（1948）[ARN98]，William Shockley和Gerald Pearson在貝爾實驗室確認了Lilienfeld專利中描述的場效應[ARN98]。不幸的是，根據Arns的說法，「這些貝爾科學家的已發表的科學、技術和歷史論文從未提及Lilienfeld或Heil的先前工作」[ARN98]，「甚至在1948年的一篇論文[SHO48]中，Shockley和Pearson實驗性地演示了場效應」[ARN98]。 在1948年11月，貝爾實驗室的各種專利申請因與Lilienfeld（和Heil）早期設計過於相似而被拒絕[PAT48]。（16年後，在1964年，貝爾實驗室的J. B. Johnson聲稱他測試Lilienfeld的一些FET時並未成功，但Arns指出[ARN98]，這一說法「似乎是故意誤導的。」）後來，有人聲稱Lilienfeld並未實施他的想法，因為「製造這些設備所需的高純度材料還需要幾十年才能準備好」[CHLI]，但1991年Bret Crawford的論文提供了證據，表明「這些說法是不正確的」[CRA91]。Lilienfeld是一位出色的實驗者，根據Arns的說法[ARN98]，在1995年，「Joel Ross重複了同一Lilienfeld專利的處方。他能夠生產出穩定數月的設備」[ROS95]。此外，在1981年，半導體物理學家H. E. Stockman確認「Lilienfeld在許多場合展示了他那非管式的無線接收器」[EMM13]。 在上述優先權爭議廣為人知之前，三位貝爾實驗室的研究人員因晶體管獲得了諾貝爾獎，這本應該頒發給Lilienfeld。這是諾貝爾獎選拔過程中的一個重大失誤——而且不是最後一次[NOB]。三位獲獎者之一的Bardeen在1988年最終承認Lilienfeld「擁有控制半導體中電流流動以製造放大設備的基本概念」[BAR88][ARN98]，而他自己的點接觸晶體管「可能減緩了晶體管領域的發展，因為它使半導體計劃偏離了結接和場效應晶體管，這些後來被證明在商業上更有用」[ARN98]。 截至2025年，毫無疑問，晶體管的發明者是Julius Edgar Lilienfeld。 參考文獻 [LIL1] 美國專利1745175，由奧地利-匈牙利（自1919年起為波蘭）物理學家Julius Edgar Lilienfeld獲得，該工作是在他擔任萊比錫大學（德國）教授期間進行的：「控制電流的方法和裝置。」首次於1925年10月22日在加拿大提交（1930年授予）。該專利描述了一種場效應晶體管。今天，幾乎所有的晶體管都是場效應晶體管。 [LIL2] 美國專利1900018，由Julius Edgar Lilienfeld獲得：「控制電流的裝置。」於1928年3月28日提交。該專利描述了一種薄膜場效應晶體管，屬於MOSFET類型[CHI88]。（另見David Topham的聲明，該專利「清楚地描述了場效應晶體管，使用薄膜沉積技術構建，並使用在金屬氧化物FET確實在30多年後大量生產時變得正常的尺寸」[EMM13]。） [LIL3] 美國專利1877140，由Julius Edgar Lilienfeld獲得：「電流放大器。」於1928年12月8日提交。 [LIL4] J. Schmidhuber。2025年：晶體管的百年紀念，由Julius Edgar Lilienfeld於1925-1928年獲得專利。技術備忘錄IDSIA-10-25，IDSIA，2025年10月22日。 [ARN98] R. G. Arns（1998）。另一種晶體管：金屬-氧化物-半導體場效應晶體管的早期歷史。工程科學與教育期刊7(5)：233–240。 [ATA60] 美國專利3206670和3102230，分別由埃及工程師Mohamed M. Atalla和韓國工程師Dawon Kahng（貝爾實驗室）於1960年10月3日提交：「具有介電涂層的半導體設備」和「電場控制的半導體設備。」（Lilienfeld的MOSFET[LIL2]的一種變體。） [BAR88] J. Bardeen致W. Sweet的信，物理今日的副編輯，日期為1988年3月9日，由Arns（1998）[ARN98]引用。 [BRA48] 美國專利2524035，由John Bardeen和Walter Brattain（貝爾實驗室）於1948年2月26日提交：「利用半導體材料的三電極電路元件。」該專利描述了一種點接觸晶體管。 [CHI88] Chih-Tah Sah（1988）。MOS晶體管的演變 - 從構想到VLSI。IEEE會議記錄第67卷第10期，1988年。 [CHLI] 晶片歷史中心。Julius E. Lilienfeld - 名人堂：因為在1925年發明並獲得第一個FET半導體的專利。 [CRA91] Bret E. Crawford。「晶體管的發明」（1991）。研究生學院論文和論文。1469。引用：「實驗結果表明，Lilienfeld確實建造並測試了他的設備，做的不僅僅是專利一個想法。」 [EMM13] A. Emmerson。誰真正發明了晶體管？在互聯網檔案館重新出版（2013）。 [HEIL] 專利號GB439457（1934），由德國工程師Oskar Heil獲得，歐洲專利局，最初於1934年3月2日在德國提交，然後於1935年在英國提交：「對電放大器和其他控制裝置的改進。」該專利描述了另一種MOSFET類型的晶體管。 [IC49] 德國專利DE 833366，於1949年4月14日由SIEMENS AG的Werner Jacobi提交（於1952年5月15日授予）：「半導體放大器。」第一個在共同基板上具有多個晶體管的集成電路。 [IC14] CHM博客，計算機歷史博物館（2014）。誰發明了IC？ [MAT48] 法國專利FR 1010427，於1948年8月13日由德國物理學家Herbert F. Mataré和Heinrich Welker在法國Compagnie des Freins et Signaux Westinghouse工作時提交：「實現電子繼電器效應的多電極新晶體系統。」（晶體管 - 一種JFET。） [NOB] J. Schmidhuber。因抄襲而獲得的諾貝爾獎。技術報告IDSIA-24-24（2024年12月7日，2025年10月更新）。 [PAT48] 專利戰。ScienCentral, Inc.和美國物理學會（1999）。 [ROS95] J. P. Ross。重建Lilienfeld晶體管。1995年春季美國物理學會新英格蘭分會會議，1995年4月8日；也見於「J. E. Lilienfeld和晶體管效應的發現」，老時代的公報，1998年2月，39，頁44–47和1998年5月，39，頁50–52。 [SHO48] W. Shockley和G. L. Pearson。薄膜半導體的導電性調制。物理評論74(2)：232-233，1948年7月。