100年前的1925年10月22日，奥匈帝国（自1919年起为波兰）物理学家朱利叶斯·埃德加·利连费尔德（1905-1926年在德国任教授）申请了晶体管专利[LIL1]。一种场效应晶体管（FET）。今天，我们计算机中的几乎所有晶体管都是FET。 详细信息和众多参考文献：技术说明IDSIA-10-25，IDSIA，2025年10月22日（在网上很容易找到）。

在1928年，Lilienfeld还获得了金属氧化物半导体FET（MOSFET）的专利[LIL2]。Lilienfeld的设计如所描述的那样工作，并且提供了可观的增益[ARN98]。 在1934年，德国工程师Oskar Heil获得了另一种FET变体的专利[HEIL]。在Lilienfeld之后的二十年，贝尔实验室的研究人员不仅实验性地确认了Lilienfeld专利中描述的场效应[ARN98]——见下面的优先权争议Lilienfeld与贝尔实验室——而且还获得了一种点接触晶体管（PCT，1948年2月26日由William Shockley、John Bardeen和Walter Brattain提交的专利）[BRA48]。几个月后，德国物理学家Herbert F. Mataré和Heinrich Welker在法国的Compagnie des Freins et Signaux Westinghouse获得了晶体管（结场效应晶体管或JFET）的专利（1948年8月13日提交的专利）[MAT48]。 PCT和晶体管是第一代商业晶体管。然而，1948年的PCT“从未真正实用”[ARN98]，并且“仅仅是一个绕道”[ARN98]。这是一个死胡同，今天几乎所有的晶体管都是Lilienfeld类型的FET，特别是某些由埃及工程师Mohamed M. Atalla和韩国工程师Dawon Kahng在1960年于贝尔实验室获得专利的MOSFET变体[LIL2]。 优先权争议：Lilienfeld（1925-28）与贝尔实验室（1948） 根据美国物理学家Robert G. Arns[ARN98]审查的法律文件（1948），William Shockley和Gerald Pearson在贝尔实验室确认了Lilienfeld专利中描述的场效应[ARN98]。不幸的是，Arns指出，“这些贝尔科学家的已发表的科学、技术和历史论文从未提及Lilienfeld或Heil的先前工作，”[ARN98]“甚至在1948年的一篇论文[SHO48]中，Shockley和Pearson实验性地演示了场效应”[ARN98]。 在1948年11月，贝尔实验室的各种专利申请因与Lilienfeld（和Heil）早期设计过于相似而被拒绝[PAT48]。（16年后，在1964年，贝尔实验室的J. B. Johnson声称他测试Lilienfeld的一些FET时没有工作，然而，Arns指出[ARN98]这一说法“似乎是故意误导的。”）后来，有人声称Lilienfeld没有实施他的想法，因为“制造这些设备所需的高纯度材料还需要几十年才能准备好”[CHLI]，但1991年Bret Crawford的论文提供了证据表明“这些说法是不正确的”[CRA91]。Lilienfeld是一位出色的实验者，根据Arns[ARN98]，在1995年，“Joel Ross复制了同一Lilienfeld专利的处方。他能够生产出稳定数月的设备”[ROS95]。此外，在1981年，半导体物理学家H. E. Stockman确认“Lilienfeld在许多场合展示了他卓越的无管收音机”[EMM13]。 在上述优先权争议广为人知之前，三位贝尔实验室的研究人员分享了晶体管的诺贝尔奖，这本应颁发给Lilienfeld。这是诺贝尔奖选择过程中的一个重大失误——而且不是最后一次[NOB]。三位获奖者之一的Bardeen最终在1988年承认Lilienfeld“拥有控制半导体中电流流动以制造放大设备的基本概念”[BAR88][ARN98]，而他自己的点接触晶体管“可能减缓了晶体管领域的进展，因为它使半导体程序偏离了结和场效应晶体管，而后者被证明在商业上更有用”[ARN98]。 截至2025年，毫无疑问，晶体管的发明者是Julius Edgar Lilienfeld。 参考文献 [LIL1] 美国专利1745175，由奥匈（自1919年起为波兰）物理学家Julius Edgar Lilienfeld获得，因其在莱比锡大学（德国）担任教授期间的工作：“控制电流的方法和装置。”首次于1925年10月22日在加拿大申请（1930年获批）。该专利描述了一种场效应晶体管。今天，几乎所有的晶体管都是场效应晶体管。 [LIL2] 美国专利1900018，由Julius Edgar Lilienfeld获得：“控制电流的装置。”于1928年3月28日申请。该专利描述了一种薄膜场效应晶体管，属于MOSFET类型[CHI88]。（另见David Topham的声明，该专利“清楚地描述了场效应晶体管，使用薄膜沉积技术构建，并使用在金属氧化物FET确实在30多年后大量生产时变得正常的尺寸”[EMM13]。） [LIL3] 美国专利1877140，由Julius Edgar Lilienfeld获得：“电流放大器。”于1928年12月8日申请。 [LIL4] J. Schmidhuber。2025：晶体管的百年纪念，由Julius Edgar Lilienfeld于1925-1928年获得专利。技术说明IDSIA-10-25，IDSIA，2025年10月22日。 [ARN98] R. G. Arns（1998）。另一种晶体管：金属-氧化物-半导体场效应晶体管的早期历史。工程科学与教育期刊7(5):233–240。 [ATA60] 美国专利3206670和3102230，由埃及工程师Mohamed M. Atalla和韩国工程师Dawon Kahng（贝尔实验室）于1960年10月3日申请：“具有介电涂层的半导体器件”和“电场控制的半导体器件。”（Lilienfeld的MOSFET变体[LIL2]。） [BAR88] J. Bardeen致W. Sweet的信，日期为1988年3月9日，由Arns（1998）[ARN98]引用。 [BRA48] 美国专利2524035，由John Bardeen和Walter Brattain（贝尔实验室）于1948年2月26日申请：“利用半导体材料的三电极电路元件。”该专利描述了一种点接触晶体管。 [CHI88] Chih-Tah Sah（1988）。MOS晶体管的演变——从构想到VLSI。IEEE会议记录第67卷第10期，1988年。 [CHLI] 芯片历史中心。Julius E. Lilienfeld - 名人堂：因在1925年发明和获得第一种FET半导体专利。 [CRA91] Bret E. Crawford。“晶体管的发明”（1991）。研究生学院论文和论文。1469。引用：“实验结果表明，Lilienfeld确实构建并测试了他的设备，做的不仅仅是专利一个想法。” [EMM13] A. Emmerson。谁真正发明了晶体管？在互联网档案馆重新发布（2013）。 [HEIL] 专利号GB439457（1934），由德国工程师Oskar Heil获得，欧洲专利局，最初于1934年3月2日在德国申请，随后于1935年在英国申请：“电放大器和其他控制装置的改进。”该专利描述了另一种MOSFET类型的晶体管。 [IC49] 德国专利DE 833366，由SIEMENS AG的Werner Jacobi于1949年4月14日申请（1952年5月15日获批）：“半导体放大器。”第一个在共同基板上具有多个晶体管的集成电路。 [IC14] CHM博客，计算机历史博物馆（2014）。谁发明了IC？ [MAT48] 法国专利FR 1010427，由德国物理学家Herbert F. Mataré和Heinrich Welker在法国Compagnie des Freins et Signaux Westinghouse工作时于1948年8月13日申请：“实现电子继电器效应的多电极新晶体系统。”（晶体管 - JFET。） [NOB] J. Schmidhuber。因抄袭而获得诺贝尔奖。技术报告IDSIA-24-24（2024年12月7日，2025年10月更新）。 [PAT48] 专利之争。ScienCentral, Inc和美国物理学会（1999）。 [ROS95] J. P. Ross。重建Lilienfeld晶体管。1995年春季新英格兰物理学会会议，1995年4月8日；也见于“J. E. Lilienfeld与晶体管效应的发现，”老年人公报，1998年2月，39，页44–47和1998年5月，39，页50–52。 [SHO48] W. Shockley和G. L. Pearson。薄膜半导体的导电性调制。物理评论74(2):232-233，1948年7月。